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贵州碳化硅的应用中如何减少缺陷的存在?

发布时间:2020/11/13 18:15:00 来源:http://guizhou.aysfyj.com/news500798.html

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    碳化硅在近几年的有意表现得益于不少高端精细产业的大量应用,贵州碳化硅陶瓷以及半导体等主要应用也占据着主导地位,我们都明白,任何一件事物都有其优势以及缺点,重要的是在应用中如何避免此缺陷,今天我们便来了解下贵州碳化硅的应用中如何减少缺陷的存在?


    碳化硅基电力电子组件如此吸引人的原因是对于给定的阻断电压,其掺杂密度几乎是硅基器件的一百倍。这样的结果是可以以低导通电阻获得高阻断电压。低导通电阻对于大功率应用至关重要,因为随着导通电阻的降低,产生的热量会减少,从而降低了系统的热负荷并提高了整体效率。

碳化硅的应用中如何减少缺陷的存在?

    然而,制造基于碳化硅的电子部件存在一些固有的困难,其中消除缺陷是主要的问题。这些缺陷导致由碳化硅晶体制成的部件的反向阻挡性能差。除了此晶体质量问题外,二氧化硅与碳化硅的界面困难也阻碍了基于碳化硅的功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管的发展。幸运的是,在生产过程中使用氮化工艺可显着减少导致这些界面问题的缺陷。


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